发明名称 | 脊形波导型半导体激光器 | ||
摘要 | 一种新型的激光元件结构,具有形成在p侧半导体层(14)的波导形成用脊形部(14a)、至少部分露出脊形部顶面地覆盖的绝缘保护膜(17)、在从此处露出的脊形部欧姆接触的p侧欧姆电极(15)、与p侧欧姆电极电接触地形成的p侧垫片电极(19);在p侧欧姆电极和p侧垫片电极之间,形成可防止低熔点金属扩散的中间层(30),中间层至少覆盖从绝缘保护膜(17)露出的脊形部(14a)。由此能够在脊形波导型半导体激光器中防止在组装时产生的激光特性异常及寿命特性的劣化。通过中间层,抑制低熔点金属从组装用的导电性粘合剂向脊形部扩散,良好地维持p侧欧姆电极和p型氮化物半导体的欧姆接触。 | ||
申请公布号 | CN1503416A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
申请号 | CN200310114992.2 | 申请日期 | 2003.11.14 |
申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 松村拓明 |
分类号 | H01S5/22;H01S5/30 | 主分类号 | H01S5/22 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 1.一种脊形波导型半导体激光器,具有夹着活性层的n侧半导体层及p侧半导体层、形成在所述p侧半导体层的波导形成用脊形部、至少部分露出脊形部顶面地覆盖所述脊形部的绝缘保护膜、在从所述绝缘保护膜露出的脊形部欧姆接触的p侧欧姆电极、与该p侧欧姆电极上电接触地形成的p侧垫片电极,其特征在于:在所述p侧欧姆电极和所述p侧垫片电极之间形成中间层,该中间层至少覆盖从所述绝缘保护膜露出的所述脊形部。 | ||
地址 | 日本德岛县 |