半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法

摘要

半导体基片包括杂质浓度分布在深度方向变化的多孔层。该半导体基片也可包括杂质浓度为1×10¹⁸cm^-3以上的多孔半导体，或包括通过在外延生长层中形成小孔提供的多孔层。在支撑基片的一个表面上形成薄膜半导体部件，二者之间设有上述结构的多孔层，薄膜半导体部件借多孔层的劈裂从支撑基片上分离下来。在制造半导体基片的方法中，在支撑基片的一个表面上形成杂质浓度在深度方向变化的变化杂质层。将变化杂质层转变成在深度方向有变化孔隙率的多孔层。

主权项

1·一种半导体基片，包括具有多孔层的多孔半导体，所说多孔层形成在支撑基片的一个表面上，所说多孔层包括具有低杂质浓度和高孔隙率的高孔隙率子层和至少一层具有高杂质浓度和低孔隙率的低孔隙率子层，所说多孔层的最上层为低孔隙率子层。