半导体器件的制备方法及用该方法形成的多层布线结构

摘要

制备半导体器件的方法，第一膜形成在第二膜上，在第一膜上形成第一光刻胶膜，使在第一光刻胶膜中有第一开口部分。此时，如果提供防反射膜，用提供在第二膜上的金属塞的反射，可以使第一开口部分制备得宽一些。通过第一开口部分暴露部分第一膜。随后，用能腐蚀第一光刻胶膜和第一膜的腐蚀气体，同时对二者进行干法腐蚀。在该过程中，监测第一膜与腐蚀气体的反应所产生的反应产物所发光的光谱强度。根据所说光谱强度的变化停止干法腐蚀。

主权项

1.一种形成键合焊盘的方法，包括下列步骤：在上层绝缘膜中形成键合焊盘槽；在所述上层绝缘膜上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成防氧化的第二金属层；从所述上层绝缘膜上的表面上去除所述第一和第二金属层，使得键合焊盘留在所述键合焊盘槽中，其中在键合焊盘中，所述第二金属层形成在所述第一金属层上。