| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种具有场效应晶体管的半导体装置，在硅衬底10上依次沉积第1硅层12(Si层)、含碳的第2硅层13(Si<SUB>1-y</SUB> C<SUB>y</SUB>层)和不含碳的第3硅层14。由于Si1-<SUB>y</SUB> C<SUB>y</SUB>层的晶格常数比Si层的小，第2硅层13的导带和价带受到拉伸应变而被分离。被施加给栅极电极16的电场激发了的有效质量小的电子被关在第2硅层13中，在沟道方向上移动。这样，能得到移动速度极高的n-MOSFET。如果由Si<SUB>1-x-y</SUB> Ge<SUB>x</SUB> C<SUB>y</SUB>构成第2硅层13，就成为适应于高性能CMOS器件的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1153300C | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
| 申请号 | CN98123113.6 | 申请日期 | 1998.12.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 高木刚 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/778 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上有场效应晶体管的半导体装置，其特征在于：上述场效应晶体管包括：在上述衬底上所形成的由硅构成的第1半导体层；在上述第1半导体层上形成的、从上述第1半导体层接受拉伸而应变的由Si1-x-yGexCy构成的第2半导体层，x和y的数值关系是0＜x＜8.2y；在上述第2半导体层上所形成的栅极电极；在上述栅极电极的正下方所形成的栅极绝缘膜；上述第2半导体层作为上述场效应晶体管的沟道区域而起作用。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||