发明名称 |
多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制造方法、层间绝缘膜和半导体装置 |
摘要 |
本发明提供了一种成膜用组合物,该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜,并且该膜可容易地变薄;本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说,多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R<SUP>1</SUP>)<SUB>n</SUB>Si(OR<SUP>2</SUP>)<SUB>4-n</SUB>表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤;随后的干燥步骤;和多孔性形成步骤。 |
申请公布号 |
CN1501454A |
申请公布日期 |
2004.06.02 |
申请号 |
CN200310114943.9 |
申请日期 |
2003.11.13 |
申请人 |
信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社 |
发明人 |
荻原勤;八木桥不二夫;中川秀夫;笹子胜 |
分类号 |
H01L21/312;C09D183/04 |
主分类号 |
H01L21/312 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
王维玉;丁业平 |
主权项 |
1.一种多孔膜形成用组合物,该组合物包括:通过水解和缩合至少一种由下面通式(1)表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物溶液:(R1)nSi(OR2)4-n---(1)其中R1代表具有1-8个碳原子的直链或者支链的烷基或者芳基,其可以有取代基,当具有大于一个的R1时,R1可以是独立的并且彼此相同或者不同;R2代表具有1-4个碳原子的烷基,当具有大于一个的R2时,R2可以是独立的并且彼此相同或者不同;n是0-3的整数;和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。 |
地址 |
日本东京都 |