| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可以减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜，由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1501502A | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN200310118118.6 | 申请日期 | 2003.11.13 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 伊东丰二;藤井英治;梅田和男 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/314;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征在于：具备：下部氢阻挡膜；形成在上述下部氢阻挡膜的上边的电容部；覆盖上述电容部、且使上述电容部的周缘部的上述下部氢阻挡膜露出的第1层间绝缘膜，以及形成在上述第1层间绝缘膜和上述露出的下部氢阻挡膜的上边的上部氢阻挡膜；上述上部氢阻挡膜在上述周缘部与上述下部氢阻挡膜接触，覆盖上述电容部侧方的上述第1层间绝缘膜的侧面与上述下部氢阻挡膜的上面所成的角度是钝角。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||