形成金属矽化物于源极及汲极的方法

摘要

本发明揭示一种形成金属矽化物于源极及汲极的方法，包括：提供一形成有主动区以及周边电路区之半导体矽基板，其中该周边电路区中形成有一闸极结构，且该闸极两侧之半导体矽基板上形成有源极及汲极；全面性形成一阻障层覆盖该主动区以及该周边电路区；形成一遮蔽层覆盖该主动区之阻障层；移除位于该周边电路区之阻障层；移除该遮蔽层；形成一金属层覆盖该周边电路区；以及进行热处理使该金属层与源极及汲极之矽成分反应形成金属矽化物层于该源极及汲极上。