发明名称 增加有机发光二极体可读对比度之制造方法
摘要 一种增加有机发光二极体可读对比度之制造方法,系透过有机发光二极体之绝缘层加深色阶以降低有机发光二极体受光源照射时所产生之阴极反光干扰情形,该技术主要利用该绝缘层系透过绝缘材料与加深色阶之添加剂混合调制绝缘层涂布材料涂布于导电基板后,并进行黄光制程及蚀刻制程形成绝缘层时,使该绝缘层蚀刻后之各已蚀刻区域之区隔部呈现深色,而令各已蚀刻区域单一显现其应属像素,而达增加有机发光二极体强光下可读对比度之效果。五、(一)、本案代表图为:第1图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:绝缘材料加入预定比例添加剂........a均匀混合调制出绝缘层材料.........b涂布绝缘层材料于导电基板上形成一薄膜...c经黄光蚀刻制程使薄膜形成一深色绝缘层...d
申请公布号 TW589750 申请公布日期 2004.06.01
申请号 TW092100649 申请日期 2003.01.14
申请人 胜园科技股份有限公司 发明人 张书文;林国森
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路一段二十三号十楼之一
主权项 1.一种增加有机发光二极体可读对比度之制造方法,系透过有机发光二极体之绝缘层加深色阶以降低有机发光二极体受光源照射所产生之阴极反光干扰情形,而达到改善有机发光二极体显示影像品质者,该绝缘层制作步骤包括有:a)取原制作绝缘层之绝缘材料加入预定比例可加深色阶之添加剂;b)将步骤a之材料均匀混合调制出绝缘层涂布材料;c)取一导电基板,该导电基板上系为一基板上配置有图案化阳极导电层,并将步骤b之绝缘层涂布材料涂布于前述导电基板形成出一固定厚度之薄膜;d)将步骤c完成薄膜涂布制程之导电基板进行黄光制程及蚀刻制程,使该层薄膜形成一绝缘层,并定义该绝缘层上各被蚀刻区域之区隔部呈现深色。2.如申请专利范围第1项所述之增加有机发光二极体可读对比度之制造方法,其中,该绝缘材料系一具显影特性及低介电性质之光阻材料。3.如申请专利范围第1项所述之增加有机发光二极体可读对比度之制造方法,其中,该添加剂系为一黑色染料或具有等效加深色阶之深色物质。4.如申请专利范围第3项所述之增加有机发光二极体可读对比度之制造方法,其中,该添加剂系为一不导电物质。5.如申请专利范围第1项所述之增加有机发光二极体可读对比度之制造方法,其中,该添加剂与绝缘材料之预定比例系依所需加深色阶度及不影响绝缘材料性质进行调整。6.如申请专利范围第1项所述之增加有机发光二极体可读对比度之制造方法,其中,该绝缘层上系可透过该另加一绝缘层材料涂布形成薄膜并经黄光、蚀刻制程形成一其上具有隔离壁之阴极隔离层。7.一种增加有机发光二极体强光下可读对比度之绝缘层,该绝缘层系透过绝缘层涂布材料涂布于导电基板并进行黄光制程及蚀刻制程所形成,其中:该绝缘层涂布材料系由绝缘材料与加深色阶之添加剂混合形成,使该绝缘层蚀刻后之各已蚀刻区域之区隔部呈现深色,而令各蚀刻区域单一显现其应属像素,而达增加有机发光二极体强光下可读对比度之效果。8.如申请专利范围第7项所述之增加有机发光二极体强光下可读对比度之绝缘层,其中,该绝缘材料系一具显影特性及低介电性质之光阻材料。9.如申请专利范围第7项所述之增加有机发光二极体强光下可读对比度之绝缘层,其中,该添加剂系为一黑色染料或具有等效加深色阶之深色物质。10.如申请专利范围第7项所述之增加有机发光二极体强光下可读对比度之绝缘层,其中,该添加剂系为一不导电物质。11.如申请专利范围第7项所述之增加有机发光二极体强光下可读对比度之绝缘层,其中,该添加剂与绝缘材料之混合比例系依所需加深色阶度及不影响绝缘材料性质进行调整。图式简单说明:第1图,系本发明之绝缘层制造方法流程示意图第2.3.4图,系本发明之绝缘层制造方法示意图第5图,系本发明之绝缘层示意图第6.7图,系本发明之绝缘层制造方法应用于阴极隔离层制造方法示意图第8图,系本发明之绝缘层制造方法应用于阴极隔离层示意图
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