| 主权项 |
1.一种产生一半导体发光装置的方法,包含下列步骤:在一矽基板的一表面上形成一具有复数个开口之光罩层;及利用氮化物半导体材料在各该复数个开口中形成一包含一发光层之类柱多层结构,其中该光罩层之复数个开口的两相邻开口之间的距离为10m或更小。2.一种产生一半导体发光装置的方法,包含下列步骤:在一矽基板的一表面上形成一具有复数个开口之光罩层;及利用氮化物半导体材料在各该复数个开口中形成一包含一发光层之类柱多层结构,其中该光罩层之复数个开口的两相邻开口之间的距离在该类柱多层结构之厚度之两倍至40m的范围中,且该厚度系在垂直于该矽基板之平面方向的方向上。3.如申请专利范围第2项之方法,还包含下列步骤:移除该光罩层,并提供一绝缘层,以互相电性绝缘已移除该光罩层之矽基板上的表面区域上之类柱多层结构,及形成一透明电极,以互相电性连接该类柱多层结构。4.如申请专利范围第2项之方法,还包含下列步骤:在各类柱多层结构上形成一透明电极;及将该矽基板与该类柱多层结构之组合区分成复数个晶片,使得各该晶片包含一类柱多层结构。5.如申请专利范围第2项之方法,其中:各该复数个开口为正方形或长方形,且各该复数个开口具有在50m至150m的范围中之一侧边。6.如申请专利范围第2项之方法,其中:各该复数个开口为正方形或长方形,且各该复数个开口具有在200m至300m的范围中之一侧边。7.如申请专利范围第2项之方法,其中:各该类柱多层结构包含一六角形系统之氮化镓基化合物半导体材料,该复数个开口为多边形,且各该多边形开口的至少一侧平行于该氮化镓基化合物半导体材料的<11-20>轴。8.如申请专利范围第7项之方法,其中:该矽基板具有一Si(111)平面,且该矽基板之一<1-10>轴平行于该氮化镓基化合物半导体材料之<11-20>轴。9.如申请专利范围第2项之方法,其中该光罩层由一自包含氧化矽、氮化矽及氧化铝之群组中选出的材料所组成。10.一种半导体发光装置,其特征为具备:设于矽基板上而具有复数个开口之光罩层,及利用氮化物半导体材料在该光罩层之各开口中形成之包含发光层之类柱多层结构;该光罩层之该开口部间之距离为10m以下。11.一种半导体发光装置,其特征为具备:设于矽基板上而具有复数个开口之光罩层,及利用氮化物半导体材料在该光罩层之各开口中形成之包含发光层之类柱多层结构;该光罩层之该开口部间之距离为垂直于该矽基板之方向上之该类柱多层结构之厚度之两倍以上40m以下。图式简单说明:图1为根据本发明第一范例之半导体发光装置的示意截面图;图2为图1中所示之半导体发光装置的示意平面图;图3为图1中所示在生产半导体发光装置时所得薄片之示意等轴图;图4为图1中所示在生产半导体发光装置时所得薄片之示意截面图;图5为图1中所示在生产半导体发光装置时所得薄片之示意截面图;图6为根据本发明第一范例之另一半导体发光装置的示意平面图;图7为根据本发明第二范例之半导体发光装置的示意截面图;图8为图7中所示在生产半导体发光装置时所得薄片之示意等轴图;图9为根据本发明第三范例之半导体发光装置的示意截面图;图10为图9中所示在生产半导体发光装置时所得薄片之示意截面图;图11为根据本发明第四范例之半导体装置的示意截面图;图12为一传统半导体发光装置之示意等轴图;及图13为另一传统半导体发光装置之示意截面图。 |
