非挥发性半导体记忆体

摘要

本发明系不增加面积而高精度地进行程式时之临限值控制。本发明之位元线BLek、BLok连接着程式／读取时所使用之资料电路REGR。资料电路REGR具有资料记忆部DS1、DS2、DS3。资料记忆部DS1连接于位元线BLek、BLok。在资料记忆部DS1和资料记忆部DS3之间连接着资料传送电路Qn10。在资料记忆部DS2和资料记忆部DS3之间连接着资料传送电路Qn9。资料记忆部DS2具有依据本身所记忆之资料，而强制性地改变资料记忆部DS1的资料之功能。