Verfahren zum Verbessern der Ätzgleichmäßigkeit bei der Tiefenätzung von Silizium

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbessern der Ätzgleichmäßigkeit bei einer Tiefenätzung von Silizium in einer monokristallinen Siliziumscheibe. Das Verfahren umfasst das Ausbilden einer dielektrischen Kontaktschicht auf einer monokristallines Silizium umfassenden Halbleiterscheibe, das Ausbilden einer Siliziumschicht auf der dielektrischen Kontaktschicht und das Anbringen einer Klemme an der Kante der Halbleiterscheibe. Die Siliziumscheibe wird dann in den Bereichen, die nicht von der Klemme geschützt sind, entfernt. Anschließend wird auf der Halbleiterscheibe eine Hartmaske aufgebracht und strukturiert; sodann erfolgt ein gerichtetes Ätzen der Halbleiterscheibe unter Verwendung der strukturierten Hartmaske zum Ausbilden von Gräben in dem monokristallinen Silizium. DOLLAR A Auf diese Weise wird an der Kante der Halbleiterscheibe eine Siliziumquelle (in der Siliziumschicht) zur Verfügung gestellt und so die Siliziummenge verbessert. Darüber hinaus bildet die Siliziumschicht an der Kante der Halbleiterscheibe eine Blockierschicht, die die Bildung von sogenanntem "black silicon" verhindert.