| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括：第一导电型的半导体基片、在所述半导体基片上形成的用于充/放电荷的第一电极、在第一电极上形成的用于控制第一电极的充/放电过程和数据读/写过程的第二电极，以及至少在所述第二电极的一侧的半导体基片上形成的用于提供电荷的电荷输入/输出级，其中，电荷输入/输出级与位线相连。 | ||
| 申请公布号 | CN1151510C | 申请公布日期 | 2004.05.26 |
| 申请号 | CN96108648.3 | 申请日期 | 1996.06.26 |
| 申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 朴根亨 |
| 分类号 | G11C11/40;H01L21/22 | 主分类号 | G11C11/40 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包含：第一导电型半导体基片，在所述半导体基片上形成的用于充/放电荷的第一电极，在所述第一电极上形成的用于控制所述第一电极的充/放电过程和数据读/写过程的第二电极，至少在所述第二电极的一侧的所述半导体基片上形成的用于提供电荷的电荷输入/输出级，其中，电荷输入/输出级与位线相连。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||