近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法

摘要

本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法：采用填加K₂O助溶剂的方法，降低铌酸锂的熔点，提高晶体的锂铌比，在熔融状态下，利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li₂O的含量在49mol.％以上，且光学质量好，适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。

主权项

1、一种近化学计量比铌酸锂晶体的生长方法，它的分子式为Li_1-xNb_1+x/5O₃，其中 x＜0.02，它的晶格常数为5.1485＜a＜5.1500，13.855＜c＜13.863，它还包括掺杂： 镁、铁；其特征在于它包括下述步骤： (1)按Li₂CO₃/Nb₂O₅＝46～58∶42～54的比例配料，按计量选择掺杂，加入6～12wt.％ 的K₂O，在混料机上充分混合20～40小时，在800～950℃恒温2～5小时，使 Li₂CO₃充分分解，在1000～1150℃煅烧2～8小时成铌酸锂粉料； (2)将该粉料压实，放于白金坩埚内，用提拉法按拉脖、放肩、等径、收尾过程 生长铌酸锂晶体，拉速0.1～0.5mm，转速15～30rpm，气液温差15～25℃，熔 体内温度梯度1.0～2.5℃/mm，熔体上方温梯为0.5～2.0℃/mm； (3)生长后的晶体在1150～1210℃单畴化、退火，可得近化学计量比铌酸锂晶体。