| 主权项 |
1.一种光学资讯记录媒体,系具备:第1基板;平行于前述第1基板而配置的第2基板;及配置于前述第1基板与第2基板之间的资讯层;前述资讯层,系具备记录层及邻接于前述记录层之无机物层;前述记录层,系藉由从前述第1基板侧射入之光束之照射,而在光学上可辨别之2个以上相异状态间变化的层;前述无机物层,系以SixGe1-x(其中,0.3≦x≦0.9)之氮化物作为主成分。2.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,进一步具备配置于前述第1基板与第2基板之间的1个以上之其他资讯层。3.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,前述记录层,系藉由前述光束之照射而在光学上可辨别之2个以上相异状态间,作可逆变化。4.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,前述光束之波长为500nm。5.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,前述资讯层,系具备配置成比前述记录层更靠第2基板侧之反射层。6.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,前述记录层,以含有Te及Sb之合金所构成。7.如申请专利范围第6项之光学资讯记录媒体,其中,前述记录层之厚度系18nm以下。8.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,前述记录层,系由Ge-Sb-Te系合金、Ge-Sn-Sb-Te系合金、Ag-In-Sb-Te系合金、或Ag-In-Ge-Sb-Te系合金所构成。9.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,前述记录层,系由Ge-Sb-Te系合金所构成;前述合金中Ge之含有率为30原子%以上。10.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中,前述记录层,系由Ge-Sn-Sb-Te系合金所构成;前述合金中Ge与Sn之含有率合计为30原子%以上。11.一种光学资讯记录媒体之记录方法,该光学资讯记录媒体系具备:记录层;及邻接于前述记录层之无机物层;前述无机物层,系以SixGe1-x(其中,0.3≦x≦0.9)之氮化物作为主成分;藉由将在功率位准P1与比前述功率位准P1小之功率位准P3之间调变而成的脉冲光照射于前述记录层,而将前述记录层变化为光学性质不同之状态来形成记录标记时,前述记录标记越长,则脉冲光之脉冲数越增加;前述光学资讯记录媒体之线速度越高,则P3/P1之値越大。12.一种光学资讯记录媒体之记录方法,该光学资讯记录媒体系具备:记录层;及邻接于前述记录层之无机物层;前述无机物层,以SixGe1-x(其中,0.3≦x≦0.9)之氮化物作为主成分,藉由将在功率位准P1与比前述功率位准P1小之功率位准P3之间调变而成的脉冲光照射于前述记录层,将前述记录层变化为光学性质不同之状态来形成记录标记时,前述记录标记越长,则脉冲光之脉冲数越增加;藉由将前述功率位准P1与前述功率位准P3之间的功率位准P2之连续光照射于前述记录层来消除前述记录标记时,前述光学资讯记录媒体之线速度越高,则P3/P2之値越大。图式简单说明:第1图,系表示本发明之光学资讯记录媒体之一例的部分截面图。第2图,系表示本发明之光学资讯记录媒体之另一例的部分截面图。第3图,系表示用于本发明之光学资讯记录媒体之记录再生的记录再生装置之一例的示意图。第4图,系表示用来本发明之光学资讯记录媒体之记录的雷射光束之脉冲波形之一例的图。 |
