| 发明名称 | 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 用汽相淀积在p<SUP>+</SUP>层上形成包括钴(Co)的层，并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化，以便形成透光电极。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。此外，由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素，所以可获得令人满意的欧姆特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1150632C | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
| 申请号 | CN97129713.4 | 申请日期 | 1997.11.29 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 上村俊也;柴田直树;野杁静代;伊藤润;村上正纪;小出康夫 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种GaN基化合物半导体发光器件，包括：P型GaN基化合物半导体层；和固定在所述p型GaN基化合物半导体层上有透光特性和欧姆特性的电极，其特征在于，所述电极包括从钴合金、钯和钯合金组成的组中至少选择一种构成的金属层。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||