发明名称 |
照射激光的方法、激光照射系统和半导体器件的制造方法 |
摘要 |
在半导体器件的制造工艺中,当CW激光器的谐波照射到半导体膜上并相对扫描该谐波时,形成几个沿扫描方向延伸的长晶粒。在该扫描方向上,这样形成的半导体膜在特性上基本接近单晶体。然而,CW激光器的谐波的输出小,从而造成了低的退火效率。在本发明中,通过将CW激光器的二次谐波和CW激光器的基波同时照射到相同的部分来执行对输出的辅助。通常,所述基波具有1μm左右的波长带,并且在半导体膜中吸收得不是很好。当将具有可见光波长的波成或者具有短于可见光的波长的谐波与基波同时照射到半导体膜上时,由于所述基波在由谐波融化的半导体膜中吸收得很好,所以退火效率就显著地得到提高。 |
申请公布号 |
CN1497684A |
申请公布日期 |
2004.05.19 |
申请号 |
CN03164828.2 |
申请日期 |
2003.09.30 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;田中幸一郎 |
分类号 |
H01L21/324;B23K26/00 |
主分类号 |
H01L21/324 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;梁永 |
主权项 |
1.一种激光照射系统,包含:第一激光振荡器,用于输出具有可见光的波长或者具有短于可见光的波长短的第一激光束;装置,用来在被照表面或它的附近将第一激光振荡器发射的第一激光束处理成长光束;第二激光振荡器,用于输出基波的第二激光束;装置,用来将第二激光振荡器发射的第二激光束照射到所述被照表面的一个区域;装置,用来使所述被照表面在第一方向上向第一和第二激光束相对移动;和装置,用来使所述被照表面在第二方向上向第一和第二激光束相对移动,其中,将所述长光束照射到该区域上。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |