具有不对称通道掺杂剂轮廓的器件及其制造方法

摘要

一种用于在DRAM阵列器件中的形成位线连接的方法，它改进了通道区域内的掺杂轮廓。该方法包括经过器件中的位线接触孔进行反掺杂离子注入。这种特殊的掺杂方法增加了阵列的位线侧上的通道区域内的掺杂剂浓度，而不会相应地增加掩埋条带侧的掺杂剂。这种掺杂轮廓导致器件的断开电流特性的改进。根据接触孔的高宽比，为了获得最大的断开电流系数，可以调节离子注入的倾斜角度。

主权项

1.一种用于在设置于一半导体基底上的DRAM阵列器件中形成位线连接的方法，该方法包括以下步骤：以第一导电性的掺杂剂对半导体基底的部分进行掺杂，以形成源极和漏极区，半导体基底包括与该第一导电性相反导电性的掺杂剂，以在源极和漏极之间形成一通道；在上述半导体基底的表面上沉积一层绝缘材料；穿过上述绝缘材料层腐蚀一位线接触开孔；和通过上述开孔沉积具有与第一导电性相反导电性的掺杂剂，上述掺杂剂的分布使得形成的反掺杂轮廓可以有效地防止结泄漏，该反掺杂轮廓形成通道的非对称掺杂轮廓，并保持通道的一体性。