发明名称 等离子体掺杂方法及等离子体掺杂装置
摘要 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法,一边由供气装置将规定的气体输入真空容器内,一边用泵排气,将真空容器内保持在规定的压力的同时由高频电源向线圈施加高频功率。在真空容器内产生等离子体后,降低真空容器内的压力,对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外,慢慢减小真空容器内的压力的同时慢慢增大高频功率,对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外,高速采集向试样电极供给的高频功率的行进波功率Pf及反射波功率Pr,在功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。
申请公布号 CN1497678A 申请公布日期 2004.05.19
申请号 CN03127235.5 申请日期 2003.09.30
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 奥村智洋;中山一郎;水野文二;佐佐木雄一郎
分类号 H01L21/223 主分类号 H01L21/223
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 胡烨
主权项 1、等离子体掺杂方法,它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法,其特征在于,包括以下3个阶段,第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样;第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体,将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体;第3阶段是在保持产生等离子体的状态下,将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力。
地址 日本国大阪府门真市