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经营范围
发明名称
Ferroelectric semiconductor memory
摘要
申请公布号
EP1308959(A3)
申请公布日期
2004.05.19
申请号
EP20020023783
申请日期
2002.10.25
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人
YAMAGUCHI, TETSUYA
分类号
G11C11/22;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C11/22
主分类号
G11C11/22
代理机构
代理人
主权项
地址
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