| 发明名称 | 制造光学器件的方法以及相关改进 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造光学器件(40)的改进的方法，特别地例如激光二极管、光调制器、光放大器、光转换器以及光检测器的半导体光电器件。本发明提供了一种制造光学器件(40)的方法，其中用于制作器件(40)的器件体部分(5)包括量子阱(QW)结构(30)，该方法包括对器件体部分(5)进行处理以使至少在器件体部分(5)的一部分(53)中形成延展缺陷的步骤。每一延展缺陷为包括多个相邻“点”缺陷的结构缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1496579A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN02806121.7 | 申请日期 | 2002.02.01 |
| 申请人 | 格拉斯哥大学理事会 | 发明人 | 约翰·H·马什;斯图尔特·D·麦克杜格尔;克雷格·J·汉密尔顿;奥利克·P·科沃尔斯基 |
| 分类号 | H01L21/18;H01L33/00;H01S5/026 | 主分类号 | H01L21/18 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造光学器件的方法，将用来制作所述器件的一器件体部分包括一量子阱结构，该方法包括对该器件体部分进行处理以使至少在该器件体部分的一部分中形成延展缺陷的步骤。 | ||
| 地址 | 英国格拉斯哥 | ||