半导体内存埋入式位线之制造方法

摘要

于此方法中，埋入式位线使用包含之前已被施加于将形成埋入式位线之区域上方之多晶硅(15)之一掺杂质源极被产生做为一扩散区域(14)。这维持扩散程度于限制中并表示掺杂的多晶硅，在快速氧化的考虑下，尤其适合埋入式位线上之隔离氧化物区域(6)的形成。

主权项

1.一种制造半导体内存之埋入式位线之方法，其中类似条状的掺杂区域(2)在半导体基体(1)中被平行且互有距离地产生，该等区域系用以当成个别内存晶体管之位线以及源/汲极区域，在每一情况中一层序列，其被用以当成一闸介电质并包括一下边界层(3)，一储存层(4)以及一上部边界层(5)，被相对于该掺杂区域(2)侧向施加，以及一氧化物区域(6)，其厚度大于该下边界层(3)，在每一情况中被形成于远离该半导体基体(1)之一掺杂区域(2)之侧边，特征在于在产生该上边界层(5)之前，从可被选择性地相对储存层(4)及多晶硅之材料而被蚀刻之材料所形成之一牺牲层(10)被施加至该储存层(4)，使用一罩幕(7)于该牺牲层(10)，该储存层(4)以及该下边界层(3)中形成开孔(8)，一直程度至该半导体基体(1)之下，掺杂的多晶硅(11)被导入开孔(8)之中，该牺牲层(10)被移除，以及该上边界层(5)被产生于该储存层(4)之上以及该多晶硅之至少一部份被氧化以形成该氧化物区域(6)。