| 发明名称 | 使化合物半导体层激活成为P－型化合物半导体层的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种把化合物半导体层激活成p－型化合物半导体层的方法。为了降低由VPE法生长的化合物半导体层的电阻率，照射其能量大于化合物半导体层的带隙能量的电磁波并且进行退火。如果在生长过程中该层所含p－型杂质含量增加，则该层的电阻率增加，退火温度降低。并且，化合物半导体层和电极之间的接触电阻降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1495923A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN03156700.2 | 申请日期 | 1999.05.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申铉义 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20;H01L21/22;H01L21/324;H01L21/24;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种采用化合物半导体层和电极制造化合物半导体器件的方法，所述化合物半导体层是通过汽相外延法(VPE)生长的并且用p-型杂质掺杂，其中把化合物半导体层激活成为p-型化合物半导体层的方法包括以下工序：当p-型掺杂的半导体层含有作为p-型杂质的超过5×1019cm-3的Mg时，在200-850℃的低温对p-型掺杂的半导体层进行退火。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||