| 主权项 |
1.一种洁净室,包括:一配置以设置于一制造系统中之半导体基板于其中之第一洁净区域;及一相邻于该第一洁净区域配置一操作员于其中之第二洁净区域,其中一向下流动之第一空气流系引进至该第一洁净区域中及一向下流动之第二空气流系引进至该第二洁净区域中,及该第一空气流之流速系高于该第二空气流之流速。2.如申请专利范围第1项之洁净室,其中该第一空气流之流速系不少于该第二空气流之流速之1.3倍。3.如申请专利范围第1项之洁净室,进一步包括配置于该第一洁净区域及该第二洁净区域之间以自该第二空气流中隔开该第一空气流之隔离装置。4.如申请专利范围第3项之洁净室,其中一用以接受该第一空气流之第一空气流入口对该第一洁净区域之一面积比系大于一用以接受该第二空气流之第二空气流入口对该第一洁净区域之一面积比。5.如申请专利范围第3项之洁净室,其中该隔离装置具有一含有一上开口及一下开口之四平面结构,及该上开口具有一大于该下开口之面积。6.如申请专利范围第3项之洁净室,其中该隔离装置其一下边系配置位在一高度在一地板上1.2至1.8米处。7.如申请专利范围第3项之洁净室,其中该隔离装置系用一透明材料来制造。8.一种用以制造一半导体积体电路装置之方法,其包括一步骤为透过一在一包含一配置一设置于一制造系统中之半导体基板于其中之第一洁净区域及一相邻于该第一洁净区域配置该操作员于其中之第二洁净区域之洁净室中之操作员之操作以设置一半导体基板于一制造系统中,其中一向下流动之第一空气流系引进至该第一洁净区域中及一向下流动之第二空气流系引进至该第二洁净区域中,及该第一空气流之流速系高于该第二空气流之流速。9.如申请专利范围第8项之用以制造一半导体装置之方法,其中该第一空气流之流速系不少于该第二空气流之流速之1.3倍。图式简单说明:图1A、1B及1C系根据本发明之具体实施例1分别为一洁净室之一左侧图、一前视图及一平面图;图2系一根据本发明之各具体实施例来说明在一洁净室中之一第一空气流速系高于一第二空气流速之图形;图3系一根据具体实施例1之第一修正版之洁净室平面图;图4系一根据具体实施例1之第二修正版之洁净室平面图;图5系一根据具体实施例1之第三修正版之洁净室平面图;图6A及6B系根据本发明之具体实施例2分别为一洁净室之一左侧图及一前视图;图7A、7B及7C系根据本发明之具体实施例3分别为一洁净室之一左侧图、一前视图及一平面图;图8A、8B及8C系根据本发明之具体实施例4分别为一洁净室之一左侧图、一前视图及一平面图;图9A及9B系根据一比较例分别为一洁净室之左侧图及一前视图;及图10系一显示一实验实施以评量该洁净室之结果及用以制造具体实施例1至4之一半导体装置之方法之图形。 |
