堆叠式覆晶封制制程

摘要

一种堆叠式覆晶封装制程，系在未切割之晶圆的表面上进行凸块制程，其中第一凸块系形成于每一凸块接点上。接着以覆晶的方式将多个第二晶片直接封装于晶圆之表面上，且第二晶片之焊垫藉由第二凸块而连接于晶片接点上。此外，晶圆切割为多个第一晶片之后，再以覆晶的方式配置于一承载器上，以形成一堆叠式覆晶封装结构。由于第一晶片与第二晶片系封装于同一承载器上，且两者以堆叠的方式彼此连接，因此可提高覆晶构装密度、减少空间需求，也降低了第一晶片与第二晶片之间讯号延迟的现象，故可达到晶片高速处理以及产品多工性的目的。伍、(一)、本案代表图为：第 1E 图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：100：晶圆110：第一晶片112：晶片接点(第一接点)114：凸块接点(第二接点)120：第一凸块130：第二晶片132：焊垫134：第二凸块

主权项

1.一种堆叠式覆晶封装制程,至少包括:提供一晶圆,具有复数个第一晶片,且每一该些第一晶片具有复数个第一接点及复数个第二接点,其中该些第一接点系电性连接该些第二接点;配置复数个第一凸块于该些第一接点上;提供复数个晶片,每一该些晶片具有复数个焊垫,分别对应于该些第二接点,且该些焊垫之表面分别配置一第二凸块;进行一覆晶步骤,藉由该第二凸块连接每一该些第二接点及对应之该些焊垫之一;进行回焊;以及切割该晶圆,以独立分开该些第一晶片。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式覆晶封装制程,更包括提供一承载器,具有复数个接合垫,分别对应于该些第一接点,且晶圆系以覆晶的方式,藉由该些第一凸块分别连接该些第一接点及对应之该些接合垫。3.如申请专利范围第2项所述之堆叠式覆晶封装制程,更包括一底填制程,将一底胶填入于该承载器、该些晶片及该些第一晶片之间。4.如申请专利范围第3项所述之堆叠式覆晶封装制程,其中该底胶更包覆该些第一凸块及该些第二凸块。5.如申请专利范围第1项所述之堆叠式覆晶封装制程,其中该些第一凸块系以电镀的方式形成于该些第一接点上。6.如申请专利范围第1项所述之堆叠式覆晶封装制程,其中该些第一凸块系以网版印刷的方式形成于该些第一接点上。7.一种堆叠式覆晶封装制程,至少包括:提供一晶圆,具有复数个第一晶片,且每一该些第一晶片具有复数个第一接点及复数个第二接点;配置复数个第一凸块于该些第一接点上;提供复数个晶片,每一该些晶片具有复数个焊垫,分别对应于该些第二接点,且该些焊垫之表面分别配置一第二凸块;进行一覆晶步骤,藉由该第二凸块连接每一该些第二接点及对应之该些焊垫之一;进行回焊;提供一承载器,具有复数个接合垫,分别对应于该些第一接点,并藉由该些第一凸块分别连接该些第一接点及对应之该些接合垫。切割该晶圆及该承载器,以独立分开该承载器及该些第一晶片。8.如申请专利范围第7项所述之堆叠式覆晶封装制程,更包括一底填制程,将一底胶填入于该承载器、该些晶片及该些第一晶片之间。9.如申请专利范围第8项所述之堆叠式覆晶封装制程,其中该底胶更包覆该些第一凸块及该些第二凸块。10.如申请专利范围第7项所述之堆叠式覆晶封装制程,其中该些第一凸块系以电镀的方式形成于该些第一接点上。11.如申请专利范围第7项所述之堆叠式覆晶封装制程,其中该些第二凸块系以网版印刷的方式形成于该些第一接点上。图式简单说明:第1A~1H图依序绘示本发明第一实施例之一种堆叠式覆晶封装制程的流程示意图。第2图绘示本发明第二实施例之一种堆叠式覆晶封装的俯视示意图。