发明名称 光电装置及电子机器
摘要 在基板(10)上具备有画素电极(9a)和与此连接的 TFT(30)、连接于该TFT之扫描线(3a)及资料线(6a)、连接于上述画素电极,且构成存储电容(70)之画素电位侧电容电极(71)、透过介电体膜(75)而与此对向配置,并构成上述存储电容的固定电位侧电容电极(300),还有被设置在上述TFT之下侧,且遮蔽对该TFT射入光的下侧遮光膜(11a)和与上述固定电位侧电容电极电气性连接的触孔(501)。依此,可以防止在具有TFT之光电装置中,因存储电容之窄小化所引起之交越干扰(cross talk)或残影等之发生,并且也防止TFT中的光泄漏电流之发生。
申请公布号 TW587234 申请公布日期 2004.05.11
申请号 TW092101033 申请日期 2003.01.17
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 村出正夫
分类号 G09F9/30;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L29/76 主分类号 G09F9/30
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种光电装置,其特征为:在基板上具备有 扫描线; 资料线; 对应于上述扫描线和上述资料线之交叉部而所配 置的薄膜电晶体; 对应于上述薄膜电晶体而所配置的画素电极; 被电性连接于上述画素电极,构成储存电容的画素 电位侧电容电极; 透过介电体膜而与该画素电位侧电容电极相向配 置,构成上述储存电容的固定电位侧电容电极;和 被设置在上述薄膜电晶体之下侧,用以遮蔽光对该 薄膜电晶体之至少通道区域射入的下侧遮光膜, 上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极是被 电性连接, 上述下侧遮光膜是构成将上述固定电位侧电容电 极维持于固定电位的电容线之至少一部分或是该 电容线的冗长配线。2.如申请专利范围第1项所述 之光电装置,其中,上述下侧遮光膜和上述固定电 位侧电容电极,是藉由相对于存在该下侧之遮光膜 及该固定电位侧电容电极间之层间绝缘膜而所设 置的第1触孔而电性连接。3.如申请专利范围第2项 所述之光电装置,其中,上述第1触孔是被配置在上 述资料线之下方。4.如申请专利范围第1项所述之 光电装置,其中,上述固定电位侧电容电极及上述 下侧遮光膜之至少一方在上述基板上是形成岛状 。5.如申请专利范围第4项所述之光电装置,其中, 当上述画素电极矩阵状地多数存在时,上述岛状之 固定电位侧电容电极或是下侧遮光膜之各个边缘 部的位置,是成为各画素电极所具有之宽度的中间 。6.如申请专利范围第5项所述之光电装置,其中, 上述资料线是在邻接的上述画素电极间之略中间 蜿蜒而延伸,上述岛状之各定电位侧电容电极或是 下侧遮光膜之各个由平面观看时,是夹着上述资料 线而具有线对称的形状。7.如申请专利范围第4项 所述之光电装置,其中,从上述边缘部看时,在含有 该边缘部之上述固定电位侧电极或是上述下侧遮 光膜之外方位置上,又具备有连接上述薄膜电晶体 和上述画素电极的第2触孔。8.如申请专利范围第4 项所述之光电装置,其中,从上述岛状看时,在含有 该边缘部之上述固定电位侧电极或是上述下侧遮 光膜之外方位置上,又具备有连接上述薄膜电晶体 和上述资料线的第3触孔。9.如申请专利范围第1项 所述之光电装置,其中,上述储存电容是在构成上 述薄膜电晶体之通道区域和上述资料线之间,并且 透过该通道区域及该资料线之各个和层间绝缘膜 而被配置。10.如申请专利范围第1项所述之光电装 置,其中,上述储存电容是透过层间绝缘膜而被配 置在上述扫描线之上方。11.如申请专利范围第1项 所述之光电装置,其中,为构成上述储存电容之上 述画素电位侧电容电极,是兼作与构成上述薄膜电 晶体之汲极区域电性连接的汲极电极。12.如申请 专利范围第1项所述之光电装置,其中,上述固定电 位侧电容电极是由具有遮光性之材料所构成。13. 如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中,上述 下侧遮光膜是被设置在上述扫描线之下方,并且延 伸于该扫描线之方向,并突出于上述资料线之方向 。14.如申请专利范围第1项所述之光电装置,其中, 上述下侧遮光膜是被设置在上述扫描线及上述资 料线之下方,并且沿着该扫描线及该资料线而被配 置成格子状。15.如申请专利范围第1项所述之光电 装置,其中,上述下侧遮光膜是在画像显示区域之 外侧上,被连接于定电位源。16.如申请专利范围第 15项所述之光电装置,其中,上述定电位源,是由将 定电位供给至用以驱动上述资料线之资料线驱动 电路的定电位源;将定电位供给至用以驱动上述扫 描线之扫描线驱动电路的定电位源;及将定电位供 给至被设置在对上述基板相向配置的对向基板上 之对向电极的定电位源中之任一者所构成。17.一 种光电装置,其特征为:在基板上具备有 扫描线; 资料线; 对应于上述扫描线和上述资料线之交叉部而所配 置的薄膜电晶体; 对应于上述薄膜电晶体而所配置的画素电极; 被电性连接于上述画素电极,构成储存电容的画素 电位侧电容电极; 透过介电体膜而与该画素电位侧电容电极相向配 置,构成上述储存电容的固定电位侧电容电极;和 被设置在上述薄膜电晶体之下侧,用以遮蔽光对该 薄膜电晶体之至少通道区域射入的下侧遮光膜, 上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极是被 电性连接, 上述下侧遮光膜是构成将上述固定电位侧电容电 极维持于固定电位的电容线之至少一部分或是该 电容线的冗长配线, 同时上述固定电位侧电容电极是形成岛状, 该岛状之固定电位侧电容电极之平面性的外形形 状,是依据被配置在该外侧之电性连接构成薄膜电 晶体之半导体层及上述资料线间的触孔,和电性连 接上述画素电极及上述画素电位侧电容电极间的 触孔而所规定。18.一种电子机器,其特征为:包含 有光电装置, 上述光电装置是在基板上具备有 扫描线; 资料线; 对应于上述扫描线和上述资料线之交叉部而所配 置的薄膜电晶体; 对应于上述薄膜电晶体而所配置的画素电极; 被电性连接于上述画素电极,构成储存电容的画素 电位侧电容电极; 透过介电体膜而与该画素电位侧电容电极相向配 置,构成上述储存电容的固定电位侧电容电极;和 被设置在上述薄膜电晶体之下侧,用以遮蔽光对该 薄膜电晶体之至少通道区域射入的下侧遮光膜, 上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极是被 电性连接, 上述下侧遮光膜是构成将上述固定电位侧电容电 极维持于固定电位的电容线之至少一部分或是该 电容线的冗长配线。19.一种电子机器,其特征为: 包含有光电装置, 上述光电装置是在基板上具备有 扫描线; 资料线; 对应于上述扫描线和上述资料线之交叉部而所配 置的薄膜电晶体; 对应于上述薄膜电晶体而所配置的画素电极; 被电性连接于上述画素电极,构成储存电容的画素 电位侧电容电极; 透过介电体膜而与该画素电位侧电容电极相向配 置,构成上述储存电容的固定电位侧电容电极;和 被设置在上述薄膜电晶体之下侧,用以遮蔽光对该 薄膜电晶体之至少通道区域射入的下侧遮光膜, 上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极是被 电性连接, 上述下侧遮光膜是构成将上述固定电位侧电容电 极维持于固定电位的电容线之至少一部分或是该 电容线的冗长配线, 同时上述固定电位侧电容电极是形成岛状, 该岛状之固定电位侧电容电极之平面性的外形形 状,是依据被配置在该外侧之电性连接构成薄膜电 晶体之半导体层及上述资料线间的触孔,和电性连 接上述画素电极及上述画素电位侧电容电极间的 触孔而所规定。图式简单说明: 第1图是表示本发明之实施形态之光电装置中之设 置在构成画像显示区域之矩阵状的多数画素上的 各种元件、配线等之等效电路的电路图。 第2图是本发明之实施形态之光电装置中之资料线 、扫描线、画素电极等所形成之TFT阵列基板之相 邻的多数画素群的平面图。 第3图是第2图的A-A'剖面图。 第4图是第2图之B-B'剖面图。 第5图是表示电容电极之形成图案之一态样的平面 图。 第6图是表示电容电极之形成图案之其他态样的平 面图。 第7图是由对向基板侧观看形成在本发明之实施形 态之光电装置中之TFT阵列基板上之各构成要素的 平面图。 第8图是第7图之H-H'剖面图。 第9图是图式性表示作为本发明之电子机器之实施 形态的投射型彩色显示装置之一例的彩色液晶投 影机的剖面图。
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