| 发明名称 |
Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
Erläutert wird unter anderem eine integrierte Schaltungsanordnung (120), die einen Transistor (122), vorzugsweise einen sogenannten FinFET, und einen Kondensator (124) enthält. Die untere Elektrode des Kondensators (124) ist gemeinsam mit einem Kanalbereich des Transistors (122) in einem SOI-Substrat angeordnet. Die Schaltungsanordnung (120) ist einfach herzustellen und hat hervorragende elektronische Eigenschaften.
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| 申请公布号 |
DE10248722(A1) |
申请公布日期 |
2004.05.06 |
| 申请号 |
DE2002148722 |
申请日期 |
2002.10.18 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ROESNER, WOLFGANG;SCHULZ, THOMAS;HARTWICH, JESSICA;BREDERLOW, RALF;PACHA, CHRISTIAN |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/84;H01L27/06;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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