| 发明名称 |
Methods for etching dielectric materials |
| 摘要 |
Methods of etching dielectric materials in a semiconductor processing apparatus use a thick silicon upper electrode that can be operated at high power levels for an extended service life.
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| 申请公布号 |
US2004084410(A1) |
申请公布日期 |
2004.05.06 |
| 申请号 |
US20020284251 |
申请日期 |
2002.10.31 |
| 申请人 |
LENZ ERIC H. |
发明人 |
LENZ ERIC H. |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01J37/32;H01L21/311;(IPC1-7):C23F1/00;H01L21/302 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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