| 发明名称 |
Ohmsche Kontaktanordnung |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung, bei der ein ohmscher Kontakt zu einem Halbleiterkörper (1) durch eine amorphe Schicht (2) hergestellt wird. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Kontaktanordnung vorzugsweise durch Abscheidung mittels Aufdampfung oder Sputtern.
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| 申请公布号 |
DE10248205(A1) |
申请公布日期 |
2004.05.06 |
| 申请号 |
DE2002148205 |
申请日期 |
2002.10.16 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
MAUDER, ANTON;SCHULZE, HANS-JOACHIM;STRACK, HELMUT |
| 分类号 |
H01L29/24;H01L29/26;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28;H01L23/485 |
主分类号 |
H01L29/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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