| 发明名称 | 相变光记录介质 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4)，该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化，位于衬底和反射层之间的第一介电层(2)，以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3)，该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。 | ||
| 申请公布号 | CN1494072A | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN03159492.1 | 申请日期 | 2003.09.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大间知范威;市原胜太郎;柚须圭一郎;芦田纯生;中村直正;塚本隆之 |
| 分类号 | G11B7/24;G11B11/00 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种记录介质，其特征在于包括：衬底(1)；反射光束的反射层(6)；相变记录层(4)，该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化；位于衬底和反射层之间的第一介电层(2)；以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3)，该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||