半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括：形成在半导体衬底10上的栅极26，有轻掺杂源区42a和重掺杂源区44a的源区45a，有轻掺杂漏区42b和重掺杂漏区44b的漏区45b，源区上的第一硅化物层40c，漏区上的第二硅化物层40d，连接到第一硅化物层的第一导体栓54和连接到第二硅化物层的第二导体栓54。重掺杂漏区形成在轻掺杂区的除了其周边以外的区域中，第二硅化物层形成在重掺杂漏区的除了其周边以外的区域中，这样，当漏区加电压时可以减轻漏区上的电场集中。这样，即使用形成在源/漏区的硅化物层，也可以确保高耐压晶体管的高耐压。而且，只有漏区具有上述结构，能防止源－漏电阻增加，以保证高耐压。

主权项

1、一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底上的栅极，且其间形成有绝缘膜；形成在栅极一侧的源区，并具有轻掺杂源区和载流子浓度比轻掺杂源区高的重掺杂源区；形成在栅极另一侧的漏区，并具有轻掺杂漏区和载流子浓度比轻掺漏区高的重掺杂漏区；形成在源区上的第一硅化物层；形成在漏区上的第二硅化物层；连接到第一硅化物层上的第一导体栓；以及连接到第二硅化物层的第二导体栓，重掺杂漏区形成在轻掺杂漏区的除了其周边部分以外的区域中，第二硅化物层形成在重掺杂漏区的除了其周边部分以外的区域中。