| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN1494152A | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN03159897.8 | 申请日期 | 2003.09.27 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 筒江诚;薮俊树;加藤义明;上田哲也;濑尾晓 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/822;H01G4/33 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.具有MIM电容的半导体装置，其特征是：备有设置在半导体基片上的层间绝缘膜、和埋入上述层间绝缘膜，与上述半导体基片导通的配线，上述MIM电容具有由金属构成的第1和第2电极和由电介质构成的电容绝缘膜，上述第1电极埋入上述层间绝缘膜中，上述电容绝缘膜设置在上述第1电极上，上述第2电极是通过上述电容绝缘膜与上述第1电极对置设置的金属层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||