发明名称 | 形成次平版印刷的光阻材料图案的制作方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种在集成电路中形成次平版印刷的图案的制作方法。该制作方法包含在成像图案和显影之后,但在为下一层成像图案之前,修改光阻材料层(16)。该修改过的光阻材料层(16)在垂直的和水平的方向有不同的蚀刻率。以等离子体蚀刻修整该修改过的光阻材料层(16)。包含在该修整过的光阻材料层(16)的图案(54)具有次平版印刷的侧向尺寸。 | ||
申请公布号 | CN1494732A | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
申请号 | CN01823095.4 | 申请日期 | 2001.12.12 |
申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·A·雪德斯;U·欧可洛尼亚吾;杨志宇 |
分类号 | H01L21/027 | 主分类号 | H01L21/027 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
主权项 | 1.一种修整成像在光阻材料层(16)上的图案(54)的方法,该光阻材料层(16)设置在基板(12)上,而且该图案(54)包括顶部(58)和侧表面,该方法包含步骤:修改成像在光阻材料层(16)上的图案(54)的顶部(58)以形成修改过的顶部;以及修整成像在光阻材料层(16)上的图案(54)以形成修整过的图案(54),其中垂直向的修整率和侧向的修整率与该图案相关并且由于该修改过的顶部该垂直向的修整率比该侧向的修整率慢。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维耳市 |