通孔内衬积体化以避免阻抗转移及抵抗机械应力

摘要

所揭示的方法和装置提供了半导体装置中之内衬传导结构，开口是在一个介电层里形成以露出一个位于下方的导体，一个第一内衬藉由物理气相沈积制程沈积于该开口中及该位于下方之导体上，一个保角沈积的第二内衬于该第一内衬上形成，而一导体结构则于开口中形成。并且，一个可牺牲的内衬可被用来在形成一内衬之前吸收来自介电层所不需要的化合物。