控制多晶矽层及具有多晶矽结构之半导体装置中晶粒大小之方法

摘要

本发明系关于一种调节多晶矽层中晶粒大小之方法及利用此方法制得之装置。此方法包括在一基材上形成多晶矽之层；及进行多晶矽晶粒大小调节物种之离子植入至多晶矽层中，以致于进行预定退火后之植入多晶矽层之平均所得晶粒大小较没有多晶矽晶粒大小调节物种离子植入而于多晶矽层上进行相同之预定退火后所得之平均所得晶粒大小高或低。