形成自动对准接触窗方法

摘要

一种形成复晶矽缓冲之自动对准接触窗的方法。首先，在一半导体底材上形成复数个堆叠结构，各个堆叠结构彼此分离且包含一第一复晶矽层、一绝缘层及一第二复晶矽层，其中绝缘层形成于第一复晶矽层上方，第二复晶矽层形成于绝缘层上方。接着在每一堆叠结构的侧壁上形成间隙层，以及形成一介电层于该复数个堆叠结构、该复数个间隙层与该半导体底材上。以部分第二复晶矽层为缓冲层，移除部分介电层以形成接触窗于两堆叠结构之间。