| 主权项 |
1.一种金氧半导体电晶体的制造方法,系作用于一基底之一主动区之上,该方法包括:形成一凹陷于该主动区之上;形成一闸极于该凹陷内;形成一间隙壁于该闸极的侧壁上,其中该闸极与该间隙壁之宽度总和约与该凹陷之宽度相等;形成一轻掺杂汲极于该间隙壁的下方;形成一源汲极于该闸极两侧之该基底下方约与该凹陷深度相当的位置;以及形成一矽化金属层在该源汲极上方及该闸极表面。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该凹陷的深度约介于10奈米之60奈米之间。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中形成该闸极的方法包括:形成一介电层于该基底上;形成一多晶矽层于该介电层上;以及一微影蚀刻制程形成该闸极于该凹陷内。4.如申请专利范围第3项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该介电层的材质包括氧化矽、氮氧化矽或高介电系数材质。5.如申请专利范围第3项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该介电层系为一闸介电层。6.如申请专利范围第3项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中当该介电层为氮氧化矽时,该介电层的厚度介于约1.5奈米至3.5奈米之间。7.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中形成该轻掺杂汲极的方法包括一第一离子布植。8.如申请专利范围第7项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该第一离子布植系为一约垂直于该基底的离子布植。9.如申请专利范围第7项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该第一离子布植系为一大角度离子布植。10.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中形成该源汲极的方法包括一第二离子布植。11.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该第二离子布植系为一约垂直于该基底的离子布植。12.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该第二离子布植的能量约为10千电子伏特。13.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中形成该轻掺杂汲极及该源汲极之后更包括一快速回火制程。14.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中形成该矽化金属层的方法包括:形成一金属层覆盖于该基底之上;执行一快速升温退火处理;以及移除未反应之该金属层。15.如申请专利范围第14项所述之金氧半导体电晶体的制造方法,其中该金属层之材质系为钛、钴、或镍。16.一种闸极结构,系位于一基底之一主动区之上,包括:一闸介电层位于该主动区一凹陷内;一多晶矽层位于该闸介电层之上而形成一闸极;以及一间隙壁位于该闸极之侧壁及该凹陷之上,其中,该闸极与该间隙壁之宽度总和约与该凹陷之宽度相等。17.如申请专利范围第16项所述之闸极结构,其中该闸介电层的材质包括氧化矽、氮氧化矽或高介电系数材质。18.如申请专利范围第17项所述之闸极结构,其中当该介电层为氮氧化矽时,该介电层的厚度介于约1.5奈米至3.5奈米之间。19.如申请专利范围第16项所述之闸极结构,该闸极结构所形成的金氧半导体结构,更包括:一轻掺杂汲极位于该间隙壁的下方;一矽化金属层,位于该闸极结构两侧之该基底的表面下;以及一源汲极,位于该矽化金属层之下并约与该凹陷深度相当的位置。20.如申请专利范围第19项所述之闸极结构,其中该矽化金属层中之金属材质可以为钛、钴、或镍。图式简单说明:第1图系绘示在基底上定义出主动区及形成凹陷后之剖面示意图;第2图系绘示在基底上形成闸极及轻掺杂汲极后之剖面示意图;第3图系绘示在基底上形成闸极间隙壁及源汲极后之剖面示意图;第4图系绘示在在基底上进行矽化金属制程后之剖面示意图;以及第5图系绘示形成间隙壁后再形成轻掺杂汲极的剖面示意图。 |
