| 主权项 |
1.一种用于半导体封装之薄膜制造方法,其包括下列步骤:提供一框架,该框架设有一镂空区域、一上表面及一下表面;将一第一覆盖层固定于该框架之下表面上,而将该镂空区域覆盖住;将一薄膜设于该框架之镂空区域内,并附着于该第一覆盖层上;以切割刀具对该薄膜进行切割,将该薄膜切割成适当之尺寸。2.如申请专利范围第1项所述之用于半导体封装之薄膜制造方法,其中该薄膜系黏设于该第一覆盖层上。3.如申请专利范围第1项所述之用于半导体封装之薄膜制造方法,其中对该薄膜切割时,仅将该薄膜切割成适当之深度,使切割后之薄膜仍附着于第一覆盖层上。4.如申请专利范围第1项所述之用于半导体封装之薄膜制造方法,其中将该薄膜附着于第一覆盖层后,以一第二覆盖层固定于该框架之上表面,使该薄膜位于该第一覆盖层与该第二覆盖层间,而将该薄膜包覆住。5.如申请专利范围第1项所述之用于半导体封装之薄膜制造方法,其中该薄膜附着于该第一覆盖层之面具有黏着剂。6.如申请专利范围第4项所述之用于半导体封装之薄膜制造方法,其中该薄膜被该第二覆盖层包覆之面具有黏着剂,将该薄膜与该第二覆盖层相互黏着固定。图式简单说明:图一为习知堆叠半导体封装构造之剖视图。图二为习知堆叠半导体封装构造之示意图。图三为本发明薄膜切割方法之第一示意图。图四为本发明薄膜切割方法之第二示意图。图五为本发明薄膜切割方法之第三示意图。图六为本发明具有薄膜之堆叠半导体封装构造的剖视图。 |
