| 主权项 |
1.一种圆形薄膜电晶体结构,该结构系形成于一透明底材上,该结构至少包含:一第一金属线,位于该透明底材之第一方向上具一第一圆形区域;一绝缘层,位于该第一金属线之上;一主动层,位于该绝缘层上,其中该主动层具一第二圆形区域且位于该第一圆形区域之位置上方;一第二金属线,位于该绝缘层与该主动层上且位于该透明底材之第二方向上,其中该第二金属线具一个中间镂空之环形区域位于该第一圆形区域之位置上方;一圆形金属层,位于该主动层上与该镂空区域中;一保护层,位于该绝缘层、该主动层、该第二金属线与该个圆形金属层上,其中该保护层具有一个开口用以暴露出该圆形金属层之上表面;一透明树脂层,位于该保护层上,其中该透明树脂层具有一个接触孔用以暴露出该圆形金属层之上表面;以及一透明电极层,位于该透明树脂之上方,并经由该接触孔与该圆形金属层接触。2.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中该主动层为一非晶矽层,或一多晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中该透明树脂层之厚度约为1m至6m。4.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之绝缘层为氮化矽层、氧化矽层或氮氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之第一方向与该第二方向垂直。6.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之第一金属线系作为闸极线。7.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之第二金属线系作为资料线。8.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之第一圆形区域为该圆形薄膜电晶体之闸极。9.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之第二圆形区域为该圆形薄膜电晶体之主动区。10.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之环形结构为该圆形薄膜电晶体之汲极区。11.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之圆形金属层为该圆形薄膜电晶体之源极区,且该圆形金属层与第二金属线同时形成。12.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之该保护层之该开口小于该透明树脂层之该接触孔。13.如申请专利范围第1项所述之圆形薄膜电晶体结构,其中上述之该保护层之该开口大于该透明树脂层之该接触孔。图式简单说明:第一A图系显示习知技术之薄膜电晶体显示元件之电路结构示意图;第一B图所示为第一A图之部分电路结构放大图;第二图所示为薄膜电晶体液晶显示器之驱动波形;第三图所示为传统之薄膜电晶体结构;第四图所示为本发明之周边端子设计第一实施例之概略图;第五图所示为本发明第一实施例之圆形薄膜电晶体之剖面示意图,其系从第四图AA'线视入之剖面示意图;以及第六图所示为本发明第二实施例之圆形薄膜电晶体之剖面示意图,其系从第四图AA'线视入之剖面示意图。 |
