| 摘要 |
<p>In einer Isolationsschicht, welche auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, ist eine Kapazitätsstruktur (K) ausgebildet. Die Kapazitätsstruktur (K) weist zumindest eine erste Teilstruktur (T1a) auf, die einen metallischen gitterförmigen Bereich (G1a bis G1c) und elektrisch leitende Bereiche (P1a bis P1c) aufweist, die in den Aussparungen des gitterförmigen Bereichs (G1a bis G1c) angeordnet sind, wobei der gitterförmige Bereich (G1a bis G1c) mit einer ersten und die elektrisch leitenden Bereiche (P1a bis P1c) mit einer zweiten Anschlussleitung elektrisch verbunden sind.</p> |
