倒扣封装背照式光电探测器芯片制作方法

摘要

本发明公开了一种倒扣封装背照式的长波InGaAs/InP光电探测器芯片的制作方法，其特征在于：光电探测器芯片的衬底电极不在芯片外延层的表面，而是通过光刻工艺，腐蚀掉外延层后与芯片衬底连接，形成低接触电阻的欧姆接触。与现有的光电探测器相比，既减小了器件的结电容和内引线的分布电容，又降低了光电探测的串联电阻，从而提高了光电探测器的频率响应特性，使之特别适合于高速应用。

主权项

本发明公开了一种倒扣封装背照式长波InGaAs/InP光电探测器芯片的制作方法，其特征在于：光电探测器芯片的衬底电极不是制作在芯片外延层的表面，而是通过光刻工艺，腐蚀掉外延层后与芯片衬底连接，形成低接触电阻的欧姆接触。