γ－射线补偿型中子电离箱

摘要

一种γ-射线饱和特性不发生明显恶化的γ-射线补偿型中子电离箱。采用将孔(9)的面积总和设定为小于等于信号电极(2)表面积5％的附加限制。所述信号电极表面积是与所述高压电压相对一侧或与所述补偿电极相对一侧中的一个侧面的表面积。如果将相邻的孔(9)与孔(9)之间的距离(W1)设定为大于等于信号电极(2)与补偿电极(3)之间的间隔(D)的两倍，则还可以单独考虑对各个孔(9)的漏电场。而且如果使信号电极(2)上的孔(9)与表面(2a、2b)之间相交的部分形成曲面(9b、9c)，还可使电场不会产生急剧的变化。

主权项

1.一种γ-射线补偿型中子电离箱，它按预定间隔依次同心地配置有分别成为圆筒状或平板状的、加以高电压用的高压电极、取出中子电流用的信号电极和加以补偿电压用的补偿电极，而且所述信号电极的一部分还设有若干个孔，其特征在于上述孔的面积总和被设定为小于等于信号电极表面积的5％，所述信号电极表面积是与所述高压电压相对一侧或与所述补偿电极相对一侧中的一个侧面的表面积。