| 发明名称 | 蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻方法，用于在衬底上介于氮化硅膜形成的氧化硅膜上形成纵横比高的凹部，包括使用由Ar气、O<SUB>2</SUB>气、C<SUB>5</SUB>F<SUB>8</SUB>气、CH<SUB>2</SUB>F<SUB>2</SUB>气的混合气体构成的蚀刻气体进行蚀刻的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1492486A | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
| 申请号 | CN02147384.6 | 申请日期 | 2002.10.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 地割信浩 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/311 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻方法，在衬底上介于氮化硅膜形成的氧化硅膜上形成纵横比高的凹部，其中，包括使用由Ar气、O2气、C5F8气、CH2F2气的混合气体构成的蚀刻气体进行蚀刻的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||