发明名称 有光学元件的光刻投射装置、器件的生产方法及其器件
摘要 一种包含一光学元件的EUV光刻装置,所述光学元件的表面被改进以减小由分子污染物带来的反射率降低的影响。改进的表面包含一自聚集单层。
申请公布号 CN1492284A 申请公布日期 2004.04.28
申请号 CN03133023.1 申请日期 2003.06.12
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 R·库尔特;J·维德尼斯
分类号 G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 章社杲
主权项 1.一种光刻投射装置,包括:用于提供EUV辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统;其特征在于:至少一个投射光束入射的辐射或投射系统中的光学元件在其表面上具有一疏水自聚集单层。
地址 荷兰维尔德霍芬