发明名称 生产液晶显示装置之方法
摘要 一种制造包括有形成于基板上之垂直对齐层的液晶显示装置之方法。具有完成垂直对齐的聚合物之对齐层系被形成于该基板上,且随后被一未极化紫外光以相对于该对齐层表面不大于45度之倾斜方向辐照。对于完成该对齐层之垂直对齐之每百分之一的聚合物之量,该紫外光具有30至120 mJ/cm2之曝光能量。液晶可因此以一预倾角大致垂直对齐于该对齐层表面,以及此一对齐系藉由紫外光辐照来达成,而不需摩擦制程。
申请公布号 TW584774 申请公布日期 2004.04.21
申请号 TW088101331 申请日期 1999.01.28
申请人 富士通显示技术股份有限公司 发明人 田泰俊;吉田秀史;间山刚宗
分类号 G02F1/1337 主分类号 G02F1/1337
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种生产液晶显示装置之方法,其中该液晶显示装置包含一对相向且相间隔之基板、形成在该对基板之一上面的一对齐层、形成在该对基板中之另一基板上面的一对齐层、以及注入在该对基板间之液晶,该方法包含下列步骤:在该对基板的每一片上,形成包括完成垂直对齐的聚合物之一对齐层;以及沿相对于该对齐层表面的倾斜方向以未极化紫外光幅照各该对齐层之表面,此紫外光对完成让对齐层的垂直定向之每有百分之一的聚合物之量,具有30至120mJ/cm2的曝光能量。2.如申请专利范围第1项之生产液晶显示装置之方法,其中幅照于该对齐层之表面上的该紫外光之曝光能量系在40至90mJ/cm2的范围内。3.如申请专利范围第1项之生产液晶显示装置之方法,其中幅照于该对齐层之表面上的该紫外光之曝光能量系在80至120mJ/cm2的范围内。4.如申请专利范围第1项之生产液晶显示装置之方法,其中该紫外光之曝光能量,系可致使该液晶对该对齐层之表面的预倾角不大于89.5度。5.如申请专利范围第1项之生产液晶显示装置之方法,其中幅照于该对齐层上的该紫外光包括波长不大于280nm之一成分。6.一种生产液晶显示装置之方法,其中该液晶显示装置包含一对相向且相间隔之基板、形成在该对基板之一上面的一对齐层、形成在该对基板中之另一基板上面的一对齐层、以及注入在该对基板间之液晶,该方法包含下列步骤:在各该基板上形成一对齐层;以及以紫外光使用一光罩在倾斜方向幅照该等对齐层中至少一者之表面,该光罩具有一主体部分、以及设置在该主体部分中之多个光径改变部分,各该光径改变部分系对应于像素间距并具有不同于该主体部分之一折射率;其中该主体部分具有一光线入射表面,且该光径改变部分具有斜向于该光线入射表面之倾斜表面。7.如申请专利范围第6项之生产液晶显示装置之方法,其中每一该等光径改变部分具有一锯齿形状,该锯齿形状具有具一底边之一等腰三角形截面,该底边之长度等于一个像素间距之长度,以及一层护膜被形成在对应于该等腰三角形之顶点的该光径改变部分之一部分上。8.如申请专利范围第7项之生产液晶显示装置之方法,其中当1≦60之情况下,下列式(1)被满足,n1cos(31/2)=n2sin(2-1/2) (1)且当1>60之情况下,下列式(2)被满足,n1cos(31/2)=n2sin(1/2-2) (2)其中n1系该主体部分之折射率,n2系该等光径改变部分之折射率,1系该锯齿截面之顶角,以及2系该紫外光经该等光径改变部分而幅照于该对齐层上之入射角。9.如申请专利范围第8项之生产液晶显示装置之方法,其中该主体部分之折射率n1.该等光径改变部分之折射率n2以及该锯齿截面之顶角1,具有下列关系:cos1>n2/n1 (5)。10.如申请专利范围第9项之生产液晶显示装置之方法,其中该等光径改变部分系由空气所形成。11.如申请专利范围第6项之生产液晶显示装置之方法,其中每一该等光径改变部分系一锯齿形状,其具有具一底边之一梯形截面,该底边之长度等于一个像素间距之长度,以及一层护膜被形成在对应于该梯形之上边的该光径改变部分之一部分上。12.如申请专利范围第11项之生产液晶显示装置之方法,其中当1≦60之情况下,下列式(1)被满足,n1cos(31/2)=n2sin(2-1/2) (1)且当1>60之情况下,下列式(2)被满足,n1cos(31/2)=n2sin(1/2-2) (2)其中n1系该主体部分之折射率,n2系该等光径改变部分之折射率,1系该锯齿截面之顶角,以及2系该紫外光经该等光径改变部分而幅照于该对齐层上之入射角。13.如申请专利范围第12项之生产液晶显示装置之方法,其中该主体部分之折射率n1.该等光径改变部分之折射率n2以及该锯齿截面之顶角1,具有下列关系:cos1>n2/n1 (5)。14.如申请专利范围第13项之生产液晶显示装置之方法,其中该等光径改变部分系由空气所形成。图式简单说明:第1图系绘示依照本发明实施例之一液晶显示装置截面图;第2图系绘示一紫外光幅照装置之侧视图;第3图系绘示使用第2图装置紫外光之频谱分布图;第4图系绘示该对齐层之对齐处理方法的原理之图;第5图系以一简单型式绘示第4图中该对齐层的一部份之图;第6图系绘示第4图对齐层之一变化图;第7图系绘示该紫外光曝光能量与该预倾角间之关系图;第8图系绘示第7图之关系图,其中该曝光能量被转换为相对若干百分比具有一烷基群以获得该垂直对齐之聚合物的一数値;第9图系绘示该紫外光之幅照角与该预倾角间之关系图;第10图系绘示该对齐方法之图,其中单一像素具有两个区域;第11图系绘示藉由第10图之对齐方法得到之对齐区隔图;第12图系绘示用来执行第10图及第11图对齐方法之一光罩图;第13图系绘示第10图之一变化图;第14图系绘示依照本发明另一实施例之对齐层的对齐方法流程图;第15图系绘示第14图中所用之光罩与像素间之关系图;第16图系绘示第14图光罩之一变化图;以及第17图系绘示第14图光罩之一变化图。
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