| 主权项 |
1.一种光阻去除剂的组成物,其包括0. 5-25重量%的电解材料、60.0-99.4重量%的水以及0.1-25.0重量%的腐蚀抑制剂;该电解材料于0.001N的18℃水溶液中具有至少为300- 1cm2equiv-1之当量导电度,并选自于由盐酸、硫酸、硝酸、过氯酸及其混合物所组成的群组中;而该腐蚀抑制剂系选自于由儿茶酚(catechols)、焦棓酚(pyrogallol)、苯并三唑、1,2,3-苯并三唑、1-羟基苯并三唑、1-甲氧基苯并三唑、1-(2,3-二羟基丙基)苯并三唑、2-丁炔-1,4-二醇、甲酸、酸、安息香酸、水杨酸、或者是烷基乙醯醋酸酯(alkyl acetoacetate)或醋酸与脂肪族胺相互反应所得到的反应产物所组成的群组中。图式简单说明:图1A系为显示在电洞模型之光阻经由使用实施例1的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度的扫描式电子显微镜照片。图1B系为显示在电洞模型之光阻经由使用比较例1的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度的扫描式电子显微镜照片。图2A系为显示在金属线模型之光阻经由使用实施例1的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度的扫描式电子显微镜照片。图2B系为显示在金属线模型之光阻经由使用比较例1的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度的扫描式电子显微镜照片。图3A系为显示在金属线模型之光阻经由使用实施例1的组成物来进行去除处理过后,金属层之腐蚀程度的扫描式电子显微镜照片。图3B系为显示在金属线模型之光阻经由使用比较例1的组成物来进行去除处理过后,金属层之腐蚀程度的扫描式电子显微镜照片。图4A系为显示在电洞模型之光阻经由使用实施例1的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度、和以矽为基的无机壁面其腐蚀程度的扫描式电子显微镜照片。图4B系为显示在电洞模型之光阻经由使用比较例1的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度、和以矽为基的无机壁面其腐蚀程度的扫描式电子显微镜照片。图5A系为显示在电洞模型之光阻经由使用实施例6的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度、和以矽为基的无机壁面其腐蚀程度的扫描式电子显微镜照片。图5B系为显示在电洞模型之光阻经由使用比较例6的组成物来进行去除处理过后,其去除残余光阻之程度、和以矽为基的无机壁面其腐蚀程度的扫描式电子显微镜照片。 |
