发明名称 | 光电元件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种光电元件,包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层,它们以面对面的方式结合在一起,其中,透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化,并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率,即使长时间暴露于强烈的光照之下,其光电转换效率的下降也极小。 | ||
申请公布号 | CN1147005C | 申请公布日期 | 2004.04.21 |
申请号 | CN99111477.9 | 申请日期 | 1999.06.30 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 狩谷俊光;佐野政史;西尾丰 |
分类号 | H01L31/0224;H01L31/0256;H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/0224 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种光电元件,包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层,它们在表面处彼此结合,其特征在于所述透明导电层包括多层,该多层包含最靠近p型半导体层和透明导电层的结合面的第一层,以及第一层的氧化锡和锡的总含量小于组成透明导电层的多层中其它任一层的氧化锡和锡的总含量。 | ||
地址 | 日本东京 |