发明名称 |
一种平整半导体晶片表面的方法 |
摘要 |
一种平整半导体晶片的方法,包括首先在不规则晶片表面涂敷一层光刻胶,以平坦地涂敷在晶片的不理想外形上,以便提供基本上平坦的光刻胶层顶面,其次,以基本上相同的速率蚀刻光刻胶和介质层。光刻胶的可流动性确保光刻胶均匀遍布在不规则表面上,以获得基本上平坦的顶面。较佳地还可以进一步蚀刻介质层直到该层的厚度合乎后续制造的需要。在一个实施例中,蚀刻剂可以包括氧化物、多晶硅、金属、光刻胶以及聚酰亚胺蚀刻剂的任意一种或它们的组合。可以使用氧化物蚀刻剂蚀刻介质材料,同时可以使用多晶硅和金属蚀刻剂蚀刻由导电结构或材料组成的层。 |
申请公布号 |
CN1490848A |
申请公布日期 |
2004.04.21 |
申请号 |
CN03150267.9 |
申请日期 |
2003.07.23 |
申请人 |
第一晶圆制造(马来西亚)股份有限公司 |
发明人 |
白载学 |
分类号 |
H01L21/302;H01L21/306;G03F7/00 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王琦;宋志强 |
主权项 |
1.一种平整半导体晶片的不规则表面的方法,包括:在不规则晶片表面上涂敷一层光刻胶,以平坦地涂敷在晶片的不理想的外形特征上,以便提供基本上平坦的光刻胶层的顶面;和以基本上相同的速率蚀刻光刻胶和介质层。 |
地址 |
马来西亚沙捞越 |