| 发明名称 |
Integrierter Feldeffekttransistor mit zwei Steuerbereichen, Verwendung dieses Feldeffekttranistors und Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
Erläutert wird unter anderem ein Feldeffekttransistor (10), der unter Verwendung der SOI-Technik und der Salicidtechnik als sogenannter Double-Gate-Transistor (10) hergestellt wird. Der Transistor (10) ist für Schaltspannungen größer als fünf Volt oder sogar größer als neun Volt geeignet und benötigt nur eine sehr kleine Chipfläche.
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| 申请公布号 |
DE10245153(A1) |
申请公布日期 |
2004.04.15 |
| 申请号 |
DE2002145153 |
申请日期 |
2002.09.27 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KAKOSCHKE, RONALD |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/84;H01L27/115;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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