发明名称 高密度资料读写器及其读写方法
摘要 本发明是一种高密度资料读写器及其读写方法,利用电子束改变记录媒体的电性质、磁性质或微结晶结构,以形成奈米点并以此进行高密度的资料读写;本发明之高密度资料读写器包含以奈米碳管做为电子束发射器之资料读写头;配合一记录媒体;以及一电源所组成,其高密度资料读写方法为施以一小电压,使资料读写头激发出电子束,并照射于记录媒体形成一奈米点,用以进行高密度的资料储存;再施加一极微弱的电场使奈米碳管探针与记录媒体之间产生穿隧电流,即可透过读取记录媒体所回馈之穿隧电流的强弱来分辨讯号。
申请公布号 TW583662 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW091104518 申请日期 2002.03.12
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 李裕文;蔡晴翔;吴清沂
分类号 G11B9/00 主分类号 G11B9/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种资料读写头,系应用于高密度的资料读写,其包含有:一奈米探针悬臂;及一个以上的奈米探针,由一个以上的微尖锥及个别接合于其上尖端处之一个以上的奈米碳管簇所组合而成,用以产生一电子束以进行资料的读写,该一个以上的微尖锥系接合于该奈米碳针悬臂。2.如申请专利范围第1项所述的资料读写头,其中该一个以上的奈米探针悬臂系为矽及介电材料其中之一所制成。3.如申请专利范围第1项所述的资料读写头,该一个以上的奈米碳管簇系为一根以上的奈米碳管。4.如申请专利范围第1项所述的资料读写头,其中该一个以上的奈米探针悬臂系沉积一压电材料层,以控制所激发电子束之电流大小以及提供该奈米探针悬臂的精确微细位移。5.如申请专利范围第4项所述的资料读写头,其中该压电材料层可选用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)及锆钛酸铅(PZT)其中之一制成。6.如申请专利范围第1项所述的资料读写头,其中该一根以上的奈米碳管系以触媒催化气相沉积法与选择性自我组成法其中之一形成与接合于该一个以上的微尖锥之尖端处。7.一种高密度资料读写器,其包含有:一资料读写头,其包含有:一奈米探针悬臂;及一个以上的奈米探针,由一个以上的微尖锥及个别接合于其上尖端处之一个以上的奈米碳管簇所组合而成,用以产生一电子束以进行资料的读写,该一个以上的微尖锥系接合于该奈米碳针悬臂;一聚焦透镜,将奈米碳管激发之电子束聚焦;一记录媒体,经由电子束照射于该记录媒体以形成相变化之一奈米点,用来进行高密度的资料储存;及一电源,利用该电源对该资料读写头施以一电压,使该资料读写头激发出电子束以对该记录媒体进行读写。8.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中更包含一个以上的聚焦透镜,用以聚焦及控制该奈米探针所产生之该电子束,该聚焦透镜之位置与数目系配合该奈米探针的位置与数目。9.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中该电源系为一双极(阳极与阴极)结构及三极结构(汲极、源极与闸极)其中之一。10.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中该一个以上的奈米探针悬臂系为矽及介电材料其中之一所制成。11.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,该一个以上的奈米碳管簇系为一根以上的奈米碳管。12.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中该一个以上的奈米探针悬臂系沉积一压电材料层,以控制所激发电子束之电流大小以及提供奈米探针悬臂的精确微细位移。13.如申请专利范围第12项所述的高密度资料读写器,其中该压电材料层可选用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)及锆钛酸铅(PZT)其中之一制成。14.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中该一根以上的奈米碳管系以触媒催化气相沉积法与选择性自我组成法其中之一形成。15.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中更包含提供一移动基座用以承载该记录媒体,使该记录媒体得以旋转及进行平面(X-Y轴)方向移动以调整该记录媒体之储存位置。16.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中更包含提供一水平传动载具用来安装该资料读写头以调整资料读写的位置。17.如申请专利范围第7项所述的高密度资料读写器,其中该记录媒体系为高分子材料、金属材料及磁性材料和相变化材料其中之一制成。18.一种高密度资料读写方法,其步骤包含有:提供一资料读写头,其包含有:一奈米探针悬臂;及一个以上的奈米探针,由一个以上的微尖锥及个别接合于其上尖端处之一个以上的奈米碳管簇所组合而成,用以产生一电子束以进行资料的读写,该一个以上的微尖锥系接合于该奈米碳针悬臂;提供一电源,利用该电源施以电压于该资料读写头,使该一个以上的奈米探针激发出电子束;利用电子束于该记录媒体形成相变化之一奈米点,用来进行高密度的资料储存;及施加一极微弱的电场使奈米碳管探针与记录媒体之间产生穿隧电流,并分辨记录媒体所回馈之穿隧电流的强弱来读取资料讯号。19.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,其中更包含提供一个以上的聚焦透镜,用以聚焦及控制该奈米探针所产生之该电子束,该聚焦透镜之位置与数目系配合该奈米探针的位置与数目。20.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,其中该一个以上的奈米探针悬臂系为矽及介电材料其中之一所制成。21.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,该一个以上的奈米碳管簇系为一根以上的奈米碳管。22.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,其中该一个以上的奈米探针悬臂系沉积一压电材料层,以控制所激发电子束之电流大小以及提供奈米探针悬臂的精确微细位移。23.如申请专利范围第22项所述的高密度资料读写方法,其中该压电材料层可选用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)及锆钛酸铅(PZT)其中之一制成。24.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,其中该一个以上的奈米碳管簇系以触媒催化气相沉积法与选择性自我组成法其中之一方法形成。25.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,其中更包含提供一移动基座用以承载该记录媒体,使该记录媒体得以调整其储存位置。26.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,其中更包含提供一水平传动载具用来安装该资料读写头以调整资料读写的位置。27.如申请专利范围第18项所述的高密度资料读写方法,其中该记录媒体系为高分子材料、金属材料及磁性材料和相变化材料其中之一制成。图式简单说明:第1图为矽基材微尖锥结构的扫描式电子显微镜图;第2图为奈米探针之悬臂结构示意图;第3图为具有阵列式奈米探针之悬臂结构示意图;第4图为具有阵列式奈米探针之悬臂与聚焦透镜示意图;第5图为具有阵列式奈米探针悬臂之晶片与聚焦透镜示意图;及第6图为本发明之高密度资料读写器实施例的结构示意图。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号