| 主权项 |
1.一种碳粉,其特征为:在于相对于碳粉母粒子等价粒径其同步中阻抗外添剂等价粒径的同步分布曲线中,对于以相当于显像滚筒表面粗细或碳粉平均粒径之碳粉母粒子等价粒径的中阻抗外添剂覆盖率为基准値,从该値所得到的中阻抗外添剂覆盖率为一定之假想基准线,比相当于前述显像滚筒表面粗细或碳粉平均粒径之碳粉母粒子等价粒径还小的母粒子等价粒径领域的中阻力外添剂覆盖率成为前述基准线以上。2.如申请专利范围第1项之碳粉,其中前述基准値为80~120%。3.一种碳粉,其特征为:在于相对于碳粉母粒子等价粒径其同步中阻抗外添剂等价粒径的同步分布曲线中,对于将相当于显像滚筒表面粗细之碳粉母粒子等价粒径设为d1,将相当于碳粉平均粒径之碳粉母粒子等价粒径设为d2(d1<d2),以d1~d2间的碳粉母粒子等价粒径之中阻抗外添剂覆盖率为基准値,从该値所得到的中阻抗外添剂覆盖率为一定之假想基准线,碳粉母粒子等价粒径为低于d1以下的领域及高于d2以上的领域之中阻抗外添剂覆盖率成为前述基准线以上。4.如申请专利范围第3项之碳粉,其中前述基准値为80~120%。5.一种碳粉,其特征为:在于相对于碳粉母粒子等价粒径其同步中阻抗外添剂等价粒径的同步分布曲线中,对于以相当于显像滚筒表面粗细或碳粉平均粒径之碳粉母粒子等价粒径的中阻抗外添剂覆盖率为基准値,从该値所得到的中阻抗外添剂覆盖率为一定之假想基准线,比相当于前述显像滚筒表面粗细或碳粉平均柆径之碳粉母粒子等价粒径还大的母粒子等价粒径之中阻抗外添剂覆盖率为前述基准线以上。6.如申请专利范围第5项之碳粉,其中前述基准値为80~120%。7.一种画像形成装置,其特征为:具备形成静电潜在像之感光体,及将感应体上的静电潜在像显像之显像手段,及转印感光体上的画像之转印手段,及将所转印的碳粉像定像之定像手段等;前述碳粉为申请专利范围第1,2,3,4,5或6项之碳粉。图式简单说明:第1图系为说明画像形成装置之图。第2图系为说明显像器之图。第3图系为说明选择显像之图。第4图系为表示说明本发明第1项的碳粉之同步分布曲线之图。第5图系为说明避免小粒径领域的选择显像之图。第6图系为表示说明本发明第2项的碳粉之同步分布曲线之图。第7图系为说明避免小粒径与大粒径领域的选择显像之图。第8图系为表示说明本发明第3项的碳粉之同步分布曲线之图。第9图系为说明避免大粒径领域的选择显像之图。 |
